FDN360P - Транзистори з каналом P SMD

FDN360P
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

Характеристики
Виробник ONSEMI
Монтаж SMD
Корпус SuperSOT-3
Опір в стані провідності 136мОм
Потужність розсіювання 0,5Вт
Напруга затвор-джерело ±20В
Вид упаковки cтрічка
ролик
Властивості напівпровідникових елементів logic level
Тип транзистора P-MOSFET
Технологія PowerTrench®
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Струм стока -2А
Напруга сток-джерело -30В
Заряд затвора 9нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat