FDN359AN - Транзистори з каналом N SMD

FDN359AN
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,7А; 0,5Вт; SuperSOT-3

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія PowerTrench®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 30В
Струм стока 2,7А
Потужність розсіювання 0,5Вт
Корпус SuperSOT-3
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 75мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 7нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Властивості напівпровідникових елементів logic level
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat