FDN339AN - Транзистори з каналом N SMD

FDN339AN
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 3А; 0,5Вт; SuperSOT-3

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія PowerTrench®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 20В
Струм стока
Потужність розсіювання 0,5Вт
Корпус SuperSOT-3
Напруга затвор-джерело ±8В
Опір в стані провідності 61мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 10нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Властивості напівпровідникових елементів logic level
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat