FDG6304P - Транзистори багатоканальні

FDG6304P
Опис

Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -25В; -0,41А; 0,3Вт

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора P-MOSFET x2
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -25В
Струм стока -0,41А
Потужність розсіювання 0,3Вт
Корпус SC70-6
SC88
SOT363
Напруга затвор-джерело ±8В
Опір в стані провідності 1,9Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 1,5нКл
Технологія PowerTrench®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat