FDG6303N - Транзистори багатоканальні

FDG6303N
Опис

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 25V; 500mA; Idm: 1.3A; 0.3W

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора N-MOSFET x2
Технологія DMOS
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 25В
Струм стока 0,5А
Струм стоку в імпульсі 1,3А
Потужність розсіювання 0,3Вт
Корпус SC70-6
SC88
SOT363
Опір в стані провідності 770мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 2,3нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Властивості напівпровідникових елементів logic level
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat