FDC655BN - Транзистори з каналом N SMD

FDC655BN
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 6,3А; 1,6Вт; SuperSOT-6

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія PowerTrench®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 30В
Струм стока 6,3А
Потужність розсіювання 1,6Вт
Корпус SuperSOT-6
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 36мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 13нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat