FDC6401N - Транзистори багатоканальні

FDC6401N
Опис

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 3А; 0,96Вт; SuperSOT-6

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора N-MOSFET x2
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 20В
Струм стока
Потужність розсіювання 0,96Вт
Корпус SuperSOT-6
Напруга затвор-джерело ±12В
Опір в стані провідності 106мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 4,6нКл
Технологія PowerTrench®
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat