FDC637AN - Транзистори з каналом N SMD

FDC637AN
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 6,2А; 1,6Вт; SuperSOT-6

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія PowerTrench®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 20В
Струм стока 6,2А
Потужність розсіювання 1,6Вт
Корпус SuperSOT-6
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 41мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 16нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat