FDB52N20TM - Транзистори з каналом N SMD

FDB52N20TM
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 200В
Струм стока 52А
Потужність розсіювання 357Вт
Корпус D2PAK
Напруга затвор-джерело ±30В
Опір в стані провідності 49мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 63нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія UniFET™
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat