FDB28N30TM - Транзистори з каналом N SMD

FDB28N30TM
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 28А; 250Вт; D2PAK

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 300В
Струм стока 28А
Потужність розсіювання 250Вт
Корпус D2PAK
Напруга затвор-джерело ±30В
Опір в стані провідності 0,129Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 50нКл
Технологія UniFET™
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat