FDB13AN06A0 - Транзистори з каналом N SMD

FDB13AN06A0
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 62А; 115Вт; D2PAK

Характеристики
Виробник ONSEMI
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія PowerTrench®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 60В
Струм стока 62А
Потужність розсіювання 115Вт
Корпус D2PAK
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 34мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 29нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat