FDB035AN06A0 - Транзистори з каналом N SMD

FDB035AN06A0
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 310Вт; D2PAK

Характеристики
Виробник ONSEMI
Монтаж SMD
Корпус D2PAK
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Заряд затвора 124нКл
Опір в стані провідності 7,1мОм
Потужність розсіювання 310Вт
Струм стока 80А
Напруга затвор-джерело ±20В
Напруга сток-джерело 60В
Вид упаковки cтрічка
ролик
Технологія PowerTrench®
Тип транзистора N-MOSFET
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat