EM6K6T2R - Транзистори багатоканальні

EM6K6T2R
Опис

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 300мА; Idm: 0,6А; 150мВт

Характеристики
Виробник ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж SMD
Тип транзистора N-MOSFET x2
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Потужність розсіювання 0,15Вт
Струм стока 0,3А
Напруга затвор-джерело ±8В
Струм стоку в імпульсі 0,6А
Опір в стані провідності 1,4Ом
Напруга сток-джерело 20В
Вид упаковки cтрічка
ролик
Корпус SOT563
Модель ESD
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat