IRF640NPBF - Транзистори з каналом N THT

IRF640NPBF
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; TO220AB

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія HEXFET®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 200В
Струм стока 18А
Потужність розсіювання 150Вт
Корпус TO220AB
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 0,15Ом
Монтаж THT
Заряд затвора 44,7нКл
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat