SI4925DDY-T1-GE3 - Транзистори багатоканальні

SI4925DDY-T1-GE3
Опис

Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; польовий; -30В; -5,9А; 5Вт

Характеристики
Виробник VISHAY
Тип транзистора P-MOSFET x2
Технологія TrenchFET®
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -30В
Струм стока -5,9А
Потужність розсіювання 5Вт
Корпус SO8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 41мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 50нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat