DMT6012LSS-13 - Транзистори з каналом N SMD

DMT6012LSS-13
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,4А; Idm: 65А; 1,84Вт; SO8

Характеристики
Виробник DIODES INCORPORATED
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 60В
Струм стока 8,4А
Струм стоку в імпульсі 65А
Потужність розсіювання 1,84Вт
Корпус SO8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 14мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 22,2нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик 13 дюймів
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat