DMT10H015SK3-13 - Транзистори з каналом N SMD

DMT10H015SK3-13
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 43А; Idm: 215А; 2,9Вт; TO252

Характеристики
Виробник DIODES INCORPORATED
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Заряд затвора 30,1нКл
Корпус TO252
Опір в стані провідності 11,1мОм
Струм стока 43А
Потужність розсіювання 2,9Вт
Струм стоку в імпульсі 215А
Напруга затвор-джерело ±20В
Напруга сток-джерело 100В
Вид упаковки cтрічка
ролик 13 дюймів
Тип транзистора N-MOSFET
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat