DIW170SIC049-DIO - Транзистори з каналом N THT

DIW170SIC049-DIO
Опис

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 47A; Idm: 150A; 357W

Характеристики
Виробник DIOTEC SEMICONDUCTOR
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія SiC
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 1,7кВ
Струм стока 47А
Струм стоку в імпульсі 150А
Потужність розсіювання 357Вт
Корпус TO247-3
Напруга затвор-джерело -4...18В
Опір в стані провідності 81мОм
Монтаж THT
Заряд затвора 179нКл
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat