DIW120SIC028-DIO - Транзистори з каналом N THT

DIW120SIC028-DIO
Опис

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 84А; Idm: 295А; 715Вт

Характеристики
Виробник DIOTEC SEMICONDUCTOR
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія SiC
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 1,2кВ
Струм стока 84А
Потужність розсіювання 715Вт
Корпус TO247-3
Напруга затвор-джерело -5...20В
Опір в стані провідності 26мОм
Монтаж THT
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 373нКл
Струм стоку в імпульсі 295А
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat