CSD19538Q3AT - Транзистори з каналом N SMD

CSD19538Q3AT
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 15А; 23Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм

Характеристики
Виробник TEXAS INSTRUMENTS
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 100В
Струм стока 15А
Потужність розсіювання 23Вт
Корпус VSONP8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 49мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Розміри 3,3x3,3мм
Технологія NexFET™
Заряд затвора 4,3нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat