CSD19537Q3T - Транзистори з каналом N SMD

CSD19537Q3T
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 83Вт; VSON-CLIP8

Характеристики
Виробник TEXAS INSTRUMENTS
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія NexFET™
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 100В
Струм стока 50А
Потужність розсіювання 83Вт
Корпус VSON-CLIP8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 12,1мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 16нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Розміри 3,3x3,3мм
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat