CSD19537Q3T - Транзистори з каналом N SMD

CSD19537Q3T
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 83Вт; VSON-CLIP8

Характеристики
Виробник TEXAS INSTRUMENTS
Вид упаковки cтрічка
ролик
Корпус VSON-CLIP8
Технологія NexFET™
Тип транзистора N-MOSFET
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Заряд затвора 16нКл
Розміри 3,3x3,3мм
Опір в стані провідності 12,1мОм
Напруга затвор-джерело ±20В
Струм стока 50А
Напруга сток-джерело 100В
Потужність розсіювання 83Вт
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat