CSD17576Q5BT - Транзистори з каналом N SMD

CSD17576Q5BT
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100А; 125Вт; VSON-CLIP8; 5x6мм

Характеристики
Виробник TEXAS INSTRUMENTS
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія NexFET™
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 30В
Струм стока 100А
Потужність розсіювання 125Вт
Корпус VSON-CLIP8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 2,4мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 25нКл
Розміри 5x6мм
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat