CSD17308Q3T - Транзистори з каналом N SMD

CSD17308Q3T
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт

Характеристики
Виробник TEXAS INSTRUMENTS
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 30В
Струм стока 50А
Потужність розсіювання 2,7Вт
Корпус VSON-CLIP8
Напруга затвор-джерело ±10В
Опір в стані провідності 9,4мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Розміри 3,3x3,3мм
Струм стоку в імпульсі 167А
Технологія NexFET™
Заряд затвора 3,9нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat