BXT1150N10J - Транзистори з каналом N SMD

BXT1150N10J
Опис

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 32A; 2W; SOT89-3

Характеристики
Виробник BRIDGELUX
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Заряд затвора 21нКл
Опір в стані провідності 135мОм
Струм стока 5,6А
Потужність розсіювання 2Вт
Напруга затвор-джерело ±20В
Струм стоку в імпульсі 32А
Напруга сток-джерело 100В
Корпус SOT89-3
Тип транзистора N-MOSFET
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat