BXT1150N10D - Транзистори з каналом N SMD

BXT1150N10D
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 12,8А; Idm: 64А; 78Вт; TO252

Характеристики
Виробник BRIDGELUX
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 100В
Струм стока 12,8А
Струм стоку в імпульсі 64А
Потужність розсіювання 78Вт
Корпус TO252
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 135мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 21нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat