BXS1150N10M - Транзистори з каналом N SMD

BXS1150N10M
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,6А; Idm: 15,6А; 2,5Вт

Характеристики
Виробник BRIDGELUX
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 100В
Струм стока 2,6А
Потужність розсіювання 2,5Вт
Корпус SOT23-3
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 0,15Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Струм стоку в імпульсі 15,6А
Заряд затвора 16,3нКл
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat