BXP13N50P - Транзистори з каналом N THT

BXP13N50P
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 13А; Idm: 52А; 158Вт; TO220

Характеристики
Виробник BRIDGELUX
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 500В
Струм стока 13А
Струм стоку в імпульсі 52А
Потужність розсіювання 158Вт
Корпус TO220
Напруга затвор-джерело ±30В
Опір в стані провідності 0,46Ом
Монтаж THT
Заряд затвора 38нКл
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat