BSS308PEH6327XTSA1 - Транзистори з каналом P SMD

BSS308PEH6327XTSA1
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-SOT23

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -30В
Струм стока -2А
Потужність розсіювання 0,5Вт
Корпус PG-SOT23
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 80мОм
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Технологія OptiMOS™ P3
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat