BSS123NH6327XTSA1 - Транзистори з каналом N SMD

BSS123NH6327XTSA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,15А; Idm: 0,77А; 0,5Вт

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж SMD
Корпус SOT23
Потужність розсіювання 0,5Вт
Струм стоку в імпульсі 0,77А
Напруга затвор-джерело ±20В
Напруга сток-джерело 100В
Технологія OptiMOS™
Тип транзистора N-MOSFET
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Заряд затвора 0,6нКл
Опір в стані провідності 10Ом
Струм стока 0,15А
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat