BSS123-YAN - Транзистори з каналом N SMD

BSS123-YAN
Опис

Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 0.16A

Характеристики
Виробник YANGJIE TECHNOLOGY
Монтаж SMD
Технологія TRENCH POWER MV
Тип транзистора N-MOSFET
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Заряд затвора 2,5нКл
Опір в стані провідності 5,5Ом
Струм стока 0,16А
Потужність розсіювання 0,35Вт
Струм стоку в імпульсі 0,8А
Напруга затвор-джерело ±20В
Напруга сток-джерело 100В
Вид упаковки cтрічка
ролик
Корпус SOT23
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat