BSO613SPVGXUMA1 - Транзистори з каналом P SMD

BSO613SPVGXUMA1
Опис

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.44A; Idm: -13.8A; 2.5W; SO8

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Потужність розсіювання 2,5Вт
Корпус SO8
Монтаж SMD
Технологія SIPMOS™
Вид каналу збагачений
Струм стоку в імпульсі -13,8А
Напруга сток-джерело -60В
Струм стока -3,44А
Опір в стані провідності 0,13Ом
Напруга затвор-джерело ±20В
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat