BSN20BKR - Транзистори з каналом N SMD

BSN20BKR
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,17А; 402мВт; SOT23,TO236AB

Характеристики
Виробник NEXPERIA
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 60В
Струм стока 0,17А
Потужність розсіювання 402мВт
Корпус SOT23
TO236AB
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 5,7Ом
Монтаж SMD
Заряд затвора 0,49нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat