BSH203.215 - Транзистори з каналом P SMD

BSH203.215
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,3А; 170мВт; SOT23,TO236AB

Характеристики
Виробник NEXPERIA
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -30В
Струм стока -0,3А
Потужність розсіювання 0,17Вт
Корпус SOT23
TO236AB
Напруга затвор-джерело ±8В
Опір в стані провідності 1,65Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 2,2нКл
Властивості напівпровідникових елементів logic level
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat