BSH111BKR - Транзистори з каналом N SMD

BSH111BKR
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 0,13А; 364мВт; SOT23,TO236AB

Характеристики
Виробник NEXPERIA
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 55В
Струм стока 0,13А
Потужність розсіювання 364мВт
Корпус SOT23
TO236AB
Напруга затвор-джерело ±10В
Опір в стані провідності 8,1Ом
Монтаж SMD
Заряд затвора 0,5нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat