BSC123N08NS3GATMA1 - Транзистори з каналом N SMD

BSC123N08NS3GATMA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 55А; 66Вт; PG-TDSON-8

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія OptiMOS™ 3
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 80В
Струм стока 55А
Потужність розсіювання 66Вт
Корпус PG-TDSON-8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 12,3мОм
Монтаж SMD
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat