BSC100N06LS3GATMA1 - Транзистори з каналом N SMD

BSC100N06LS3GATMA1
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 36А; Idm: 200А; 50Вт

Характеристики
Виробник INFINEON TECHNOLOGIES
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія OptiMOS™ 3
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 60В
Струм стока 36А
Струм стоку в імпульсі 200А
Потужність розсіювання 50Вт
Корпус PG-TDSON-8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 10мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 45нКл
Вид каналу збагачений
Властивості напівпровідникових елементів logic level
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat