Додано в корзину
Переглянути корзину
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 36А; Idm: 200А; 50Вт
| Виробник |
INFINEON TECHNOLOGIES |
| Монтаж |
SMD |
| Корпус |
PG-TDSON-8 |
| Опір в стані провідності |
10мОм |
| Струм стока |
36А |
| Потужність розсіювання |
50Вт |
| Струм стоку в імпульсі |
200А |
| Напруга затвор-джерело |
±20В |
| Напруга сток-джерело |
60В |
| Технологія |
OptiMOS™ 3 |
| Властивості напівпровідникових елементів |
logic level |
| Тип транзистора |
N-MOSFET |
| Вид каналу |
збагачений |
| Поляризація |
польовий |
| Заряд затвора |
45нКл |