BGH75N120HF1 - Транзистори IGBT THT

BGH75N120HF1
Опис

Транзистор: IGBT; SiC SBD; 1,2кВ; 75А; 568Вт; TO247-3

Характеристики
Виробник BASiC SEMICONDUCTOR
Тип транзистора IGBT
Напруги колектор-емітер 1,2кВ
Струм колектора 75А
Потужність розсіювання 568Вт
Корпус TO247-3
Напруга затвор - емітер ±20В
Струм колектора в імпульсі 200А
Монтаж THT
Заряд затвора 398нКл
Вид упаковки туба
Властивості напівпровідникових елементів integrated anti-parallel diode
Технологія Field Stop
SiC SBD
Trench
Час ввімкнення 140нс
Час вимкнення 443нс
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat