B2M065120R - Транзистори з каналом N SMD

B2M065120R
Опис

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 24А; Idm: 85А; 150Вт

Характеристики
Виробник BASiC SEMICONDUCTOR
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 1,2кВ
Струм стока 24А
Струм стоку в імпульсі 85А
Потужність розсіювання 150Вт
Корпус TO263-7
Напруга затвор-джерело -4...18В
Опір в стані провідності 65мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 60нКл
Вид упаковки туба
Вид каналу збагачений
Властивості напівпровідникових елементів виведення Кельвіна
Технологія SiC
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat