AS7C31026B-10JIN - Пристрої SRAM, паралельні

AS7C31026B-10JIN
Опис

IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 16Кx8бит; 3,3В; 10нс; SOJ44; 400mils

Характеристики
Виробник ALLIANCE MEMORY
Робоча напруга 3,3В
Монтаж SMD
Робоча температура -40...85°C
Тип інтегральної мікросхеми пам'ять SRAM
Час доступу 10нс
Ширіна мікросхеми 400mils
Пам'ять 1Мб SRAM
Структура пам'яті 16Кx8бит
Властивості інтегральних мікросхем fast
Корпус SOJ44
Вид пам’яті SRAM
асинхронна
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat