AS7C31026B-10JIN - Пристрої SRAM, паралельні

AS7C31026B-10JIN
Опис

IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 16Кx8бит; 3,3В; 10нс; SOJ44; 400mils

Характеристики
Виробник ALLIANCE MEMORY
Тип інтегральної мікросхеми пам'ять SRAM
Вид пам’яті SRAM
асинхронна
Пам'ять 1Мб SRAM
Структура пам'яті 16Кx8бит
Робоча напруга 3,3В
Час доступу 10нс
Корпус SOJ44
Монтаж SMD
Властивості інтегральних мікросхем fast
Ширіна мікросхеми 400mils
Робоча температура -40...85°C
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat