AOTF5B65M1 - Транзистори IGBT THT

AOTF5B65M1
Опис

Транзистор: IGBT; 650В; 5А; 10Вт; TO220F; Eвикл: 0,12мДж

Характеристики
Виробник ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Тип транзистора IGBT
Напруги колектор-емітер 650В
Струм колектора
Потужність розсіювання 10Вт
Корпус TO220F
Напруга затвор - емітер ±30В
Струм колектора в імпульсі 15А
Монтаж THT
Заряд затвора 14нКл
Вид упаковки туба
Напруга насичення кол.-емітер 1,87В
Час ввімкнення 21нс
Час вимкнення 157нс
Енергія виключення 0,12мДж
Енергія включення 0,09мДж
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat