AOTF20B65M1 - Транзистори IGBT THT

AOTF20B65M1
Опис

Транзистор: IGBT; 650В; 20А; 18Вт; TO220F; Eвикл: 0,27мДж

Характеристики
Виробник ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Монтаж THT
Час вимкнення 166нс
Енергія виключення 0,27мДж
Енергія включення 0,47мДж
Напруга насичення кол.-емітер 1,7В
Струм колектора 20А
Струм колектора в імпульсі 60А
Потужність розсіювання 18Вт
Напруга затвор - емітер ±30В
Напруги колектор-емітер 650В
Тип транзистора IGBT
Корпус TO220F
Вид упаковки туба
Заряд затвора 46нКл
Час ввімкнення 51нс
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat