AOT3N100 - Транзистори з каналом N THT

AOT3N100
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 1,8А; 132Вт; TO220

Характеристики
Виробник ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Монтаж THT
Вид каналу збагачений
Поляризація польовий
Напруга затвор-джерело ±30В
Заряд затвора 15нКл
Опір в стані провідності 6Ом
Потужність розсіювання 132Вт
Струм стока 1,8А
Напруга сток-джерело 1кВ
Корпус TO220
Тип транзистора N-MOSFET
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat