ZXMP10A17E6TA - Транзистори з каналом P SMD

ZXMP10A17E6TA
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1,3А; 1,1Вт; SOT26

Характеристики
Виробник DIODES INCORPORATED
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -100В
Струм стока -1,3А
Потужність розсіювання 1,1Вт
Корпус SOT26
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 0,45Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat