ZXMN2F30FHTA - Транзистори з каналом N SMD

ZXMN2F30FHTA
Опис

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 0,96Вт; SOT23

Характеристики
Виробник DIODES INCORPORATED
Тип транзистора N-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 20В
Струм стока 4,1А
Потужність розсіювання 0,96Вт
Корпус SOT23
Напруга затвор-джерело ±12В
Опір в стані провідності 65мОм
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat