YJL2301D-YAN - Транзистори з каналом P SMD

YJL2301D-YAN
Опис

Транзистор: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; польовий; -15В; -3А; 1Вт

Характеристики
Виробник YANGJIE TECHNOLOGY
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -15В
Струм стока -3А
Струм стоку в імпульсі -15А
Потужність розсіювання 1Вт
Корпус SOT23
Напруга затвор-джерело ±10В
Опір в стані провідності 87мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 4,3нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Технологія TRENCH POWER LV
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat