YJG80G06A-YAN - Транзистори з каналом N SMD

YJG80G06A-YAN
Опис

Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; польовий; 60В; 50А; 38Вт

Характеристики
Виробник YANGJIE TECHNOLOGY
Тип транзистора N-MOSFET
Технологія SPLIT GATE TRENCH
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 60В
Струм стока 50А
Струм стоку в імпульсі 320А
Потужність розсіювання 38Вт
Корпус DFN5060-8
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 5мОм
Монтаж SMD
Заряд затвора 67нКл
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat