WMT04P10TS-CYG - Транзистори з каналом P SMD

WMT04P10TS-CYG
Опис

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -3,6А; Idm: -14,4А; 3,5Вт

Характеристики
Виробник WAYON
Тип транзистора P-MOSFET
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело -100В
Струм стока -3,6А
Потужність розсіювання 3,5Вт
Корпус SOT223
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 0,17Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Заряд затвора 19нКл
Струм стоку в імпульсі -14,4А
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat