UM6K33NTN - Транзистори багатоканальні

UM6K33NTN
Опис

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт

Характеристики
Виробник ROHM SEMICONDUCTOR
Корпус UMT6
Тип транзистора N-MOSFET x2
Монтаж SMD
Поляризація польовий
Вид каналу збагачений
Напруга сток-джерело 50В
Струм стока 0,2А
Струм стоку в імпульсі 0,8А
Опір в стані провідності 7,2Ом
Потужність розсіювання 0,15Вт
Напруга затвор-джерело ±8В
Вид упаковки cтрічка
ролик
Модель ESD
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat