UM6K31NTN - Транзистори багатоканальні

UM6K31NTN
Опис

Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 250мА; Idm: 1А; 150мВт; UMT6

Характеристики
Виробник ROHM SEMICONDUCTOR
Тип транзистора N-MOSFET x2
Поляризація польовий
Напруга сток-джерело 60В
Струм стока 0,25А
Потужність розсіювання 0,15Вт
Корпус UMT6
Напруга затвор-джерело ±20В
Опір в стані провідності 12Ом
Монтаж SMD
Вид упаковки cтрічка
ролик
Вид каналу збагачений
Струм стоку в імпульсі
Модель ESD
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat