UCC27714D - Драйвери MOSFET/IGBT

UCC27714D
Опис

IC: driver; місток H,півмісток MOSFET; SO14; 4А; Ch: 2; 10÷17ВDC

Характеристики
Виробник TEXAS INSTRUMENTS
Тип інтегральної мікросхеми driver
Топологія місток H
півмісток MOSFET
Вид об'єднаної схеми high-/low-side
контролер затворів
Корпус SO14
Вихідний струм
Кількість каналів 2
Напруга живлення 10...17В DC
Монтаж SMD
Робоча температура -40...125°C
Час наростання імпульсу 30нс
Час спадання імпульсу 30нс
Вид упаковки туба
Додано в корзину
Переглянути корзину
© Радіотехніка 2025
Дизайн та розробка: Seventh Cat